什锦文坊 > 数码科技 > \

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

原标题:Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolution For Reliance Jio-光与电子

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子Prisemi芯导解决方案|Prisemi Discrete OVP Solution For Reliance Jio

Prisemi芯导解决方案|Prisemi Discrete OVP Solution For Reliance Jio

联系方式:SALES03@SZKOYU.COM SALES07@SZKOYU.COM

伴随着手机功能的不断丰富,以致充电频率的增加、充电环境更加复杂多样化,以及快速充电方案的应用,使得对手机充电Vbus端和Vbat端的保护提出了更高的要求,对保护方案也提出了多种防护等级需求。

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

本文是针对印度最大的4G运营商Reliance Jio订制的最新智能手机Vchg端防护标准,而提供的解决方案。

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

(印度Reliance Jio 的4G覆盖)

Reliance Jio标准

  • Support Maximum DC Input 30V, Ir<1mA
  • Support Surge Capability: Vt>1.0KV@1.2/50us & 8/20us, Ri=40ohm

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

Prisemi Discrete OVP Solution For Reliance Jio

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

(Prisemi Discrete OVP Solution For Reliance Jio)

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

测试结论:

1. Response Time:75ns

2. Vc<36V@Vt=1.6KV

主要器件参数特性

1. TVS:PTVSHC1SF28VBH

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

2. ESD:PESDNC2FD5VB/PESDHC2FD5VBH

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

3. MOSFET:PPMT30V4/PPM6N30V4/PPM6N30V9

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

4. Transistor:PPT3FD503E0-2

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolution For Reliance Jio-光与电子

显示全文

相关文章